第641章 跑分溢出（第2页）

余承东的手停在半空，转头看了雷军一眼。

雷军指尖的笔停转了。

直播间弹幕滚动速度慢了半拍，紧接着全面爆炸——

【7纳米？不是说碳基还在实验室阶段吗？？？】

【等等，7nm？现在最先进的不是台积电2nm吗？这算什么？】

【笑死，人家都2nm了你搞7nm复古风？】

陈阳无视了所有的质疑。

他侧身，背后的全息屏幕猛地亮起。

屏幕左侧，一颗芯片的三维结构图缓缓旋转，碳黑色的纳米级电路纵横交错。

右侧，打出一行白底黑字：

**沟道材料：半导体型单壁碳纳米管**

**载流子迁移率：单晶硅的100倍**

**载流子饱和速度：单晶硅的4倍**

雷军的身体前倾，视线死死锁在屏幕的数据上。

陈阳的声音不紧不慢。

“碳纳米管的物理特性，天然压制短沟道效应。硅基芯片缩到3纳米以下，量子隧穿漏电绕不开，得靠GAA环栅、背面供电强行续命。”

“碳管不需要。”

他停顿了半秒。

“所以我们用7纳米制程，做到了什么？”

全息屏幕切换，弹出一张对比表。

左列：**星辰7nm碳基CPU**。

右列：**台积电N2（2nm）硅基旗舰CPU**。

第一行数据亮起。

**同性能功耗：碳基CPU满载功耗为2nm硅基CPU的25%。**

**硅基CPU需125W达成的性能，碳基CPU仅需32W。**

台下传出倒吸冷气的声音。

联想杨元庆摘下眼镜，用力擦了擦镜片，重新戴上死盯屏幕。

弹幕风向陡转——

【等等……同性能功耗只有四分之一？？】

【这不对吧，7nm怎么可能比2nm能效高这么多？】

【我学半导体的，碳管迁移率确实碾压硅，但这数据离谱了吧！】

第二行数据亮起。

**同功耗峰值睿频：碳基CPU可持续睿频至18GHz。**